Επισκόπηση προϊόντος
Το εξαφθοροαιθάνιο (C2F6) είναι μια πλήρως φθοριωμένη, κορεσμένη ένωση φθοράνθρακα, η οποία εμφανίζεται ως άχρωμο, άοσμο, μη{0}}εύφλεκτο και μη-τοξικό αέριο υπό τυπικές συνθήκες. Ως κρίσιμο ηλεκτρονικό ειδικό αέριο, το εξαφθοροαιθάνιο εκτιμάται για την εξαιρετική του χημική σταθερότητα και την εξαιρετική επιλεκτικότητα χάραξης, καθιστώντας το απαραίτητο στην κατασκευή ημιαγωγών και μικροηλεκτρονικών. Το εξαφθοραιθάνιο υψηλής καθαρότητας-που παράγεται μέσω αυστηρών διαδικασιών καθαρισμού ικανοποιεί τις αυστηρές απαιτήσεις προηγμένων ηλεκτρονικών εφαρμογών όπου η εξαιρετικά-υψηλή καθαρότητα και οι ελάχιστες ακαθαρσίες είναι πρωταρχικής σημασίας.
Βασικές Πληροφορίες
| CAS Αρ. | 76-16-4 |
| ΟΗΕ Αρ. | UN2193 (Εξαφθοροαιθάνιο, συμπιεσμένο) |
| Μοριακός Τύπος | C₂F₆ |
| Ταξινόμηση κινδύνου | 2.2 (Μη-εύφλεκτο, μη-τοξικό αέριο) |
Βασικά Χαρακτηριστικά & Παράμετροι
| Καθαρότητα | Μεγαλύτερο ή ίσο με 99,999% (πρότυπο βαθμού 5Ν), με διαθέσιμους υψηλότερους βαθμούς. |
| Κρίσιμες ακαθαρσίες (Τυπικές προδιαγραφές) |
Οξυγόνο (O2) Άζωτο (N2): Μικρότερο ή ίσο με 2 ppm Υγρασία (H2O): Μικρότερη ή ίση με 1 ppm Σύνολο μεταλλικών ιόντων: Μικρότερο ή ίσο με 10 ppb |
| Σημείο βρασμού | -78,2 βαθμοί |
| Κρίσιμη θερμοκρασία | 19,7 μοίρες |
| Πίεση ατμών (στους 21,1 βαθμούς) | 3,33 MPa abs |
| Πυκνότητα (Αέριο, 25 μοίρες) | ~7,85 kg/m³ (περίπου. 5x πιο πυκνό από τον αέρα) |
Χαρακτηριστικά & Πλεονεκτήματα
Υψηλή χημική σταθερότητα & πλάσμα
Οι ισχυροί δεσμοί C-F παρέχουν σταθερή, ελεγχόμενη αποσύνθεση σε περιβάλλοντα πλάσματος, δημιουργώντας ενεργές ρίζες φθορίου για ακριβή χάραξη.
Ανώτερη επιλεκτικότητα χάραξης
Προσφέρει εξαιρετικά ρυθμιζόμενες αναλογίες ρυθμού χάραξης μεταξύ πυριτίου, διοξειδίου του πυριτίου, νιτριδίου του πυριτίου και φωτοανθεκτικού, επιτρέποντας εξελιγμένη μεταφορά σχεδίων για προηγμένους κόμβους.
Εξαιρετικές Διηλεκτρικές & Μονωτικές Ιδιότητες
Η υψηλή διηλεκτρική του αντοχή και η θερμική του σταθερότητα το καθιστούν κατάλληλο για εξειδικευμένες εφαρμογές ηλεκτρικής μόνωσης.
Συμβατότητα διαδικασίας & ευρύ παράθυρο
Αποδεδειγμένη συμβατότητα με τυπικά εργαλεία κατασκευής ημιαγωγών (π.χ. ICP, CCP etchers), προσφέροντας ένα ευρύ και σταθερό παράθυρο διαδικασίας για τους κατασκευαστές.
Λειτουργικά Χαρακτηριστικά
Σε διαδικασίες που βασίζονται στο πλάσμα-το εξαφθοροαιθάνιο αποσυντίθεται για να δημιουργήσει ρίζες φθορίου (F*) και διάφορα ιόντα CFx. Αυτό του επιτρέπει να λειτουργεί κυρίως ως:
1. A Precision Etchant: Επιτρέπει την ανισότροπη χάραξη πυριτίου, πολυπυριτίου και διαφόρων διηλεκτρικών μεμβρανών με υψηλή επιλεκτικότητα και έλεγχο προφίλ.
2. Ένας παράγοντας καθαρισμού θαλάμου: Αφαιρεί αποτελεσματικά τα υπολείμματα με βάση το πυρίτιο- από την εναπόθεση χημικών ατμών (CVD) και το εσωτερικό του θαλάμου χάραξης χωρίς να καταστρέφει τα εξαρτήματα του θαλάμου.
3. Αέριο φορέα/αραιωτικό: Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τη ρύθμιση και τη σταθεροποίηση της χημείας του πλάσματος σε μείγματα αερίων.
Κύρια πεδία εφαρμογής
Κατασκευή ημιαγωγών
Βασικό χαρακτικό για μοτίβο πύλης πολυπυριτίου, απομόνωση ρηχής τάφρου (STI) και διηλεκτρικό (SiO2, χαμηλό-k) χάραξη μέσω/τάφρων. Απαραίτητο για-επιτόπιο καθαρισμό θαλάμου.
Κατασκευή επίπεδων οθονών (FPD).
Χρησιμοποιείται στη διαμόρφωση λεπτών-συστοιχιών τρανζίστορ μεμβράνης (TFT) και μικρο-κατασκευής οθονών OLED.
Φωτοβολταϊκά
Υφή και μοτίβο σε κατασκευή ηλιακών κυψελών-με βάση και λεπτό{1}}υμένιο.
Άλλες Εφαρμογές
Χρησιμοποιείται ως ψυκτικό μέσο (R116), μονωτικό αέριο σε ηλεκτρικό εξοπλισμό και ρυθμιστικό αέριο σε λέιζερ.
Υπόθεση Συνεργασίας Πελατών
Ένα κορυφαίο χυτήριο ημιαγωγών συνεργάστηκε μαζί μας για τη βελτιστοποίηση της διαδικασίας χάραξης οπών επαφής λογικού τσιπ 28nm, η οποία αντιμετώπισε προκλήσεις με την τραχύτητα του πλευρικού τοιχώματος και την ομοιομορφία χάραξης. Αναπτύξαμε ένα προσαρμοσμένο μείγμα αερίων με βάση το εξαφθοροαιθάνιο- (με O2 και Ar) προσαρμοσμένο για το συγκεκριμένο εργαλείο χάραξης (Applied Materials Centura). Παρέχαμε 99,9995% εξαιρετικά-υψηλής-καθαρότητας εξαφθοροαιθάνιο με μεταλλικές ακαθαρσίες<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.
FAQ
Δημοφιλείς Ετικέτες: εξαφθοροαιθάνιο, Κίνα κατασκευαστές εξαφθοροαιθανίου, προμηθευτές, εργοστάσιο
